обеднение носителей

См. также в других словарях:

• ЭКСТРАКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках, обеднение приконтактной области ПП неосновными носителями заряда при протекании тока через контакт ПП с металлом (см. ШОТКИ БАРЬЕР) или др. полупроводником (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОДГЕТЕРОПЕРЕХОД,) при запорном… …   Физическая энциклопедия

• КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того …   Физическая энциклопедия

• ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… …   Физическая энциклопедия

• Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… …   Википедия

• Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… …   Википедия

• ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… …   Физическая энциклопедия

• МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с …   Физическая энциклопедия

• Евразия — (Eurasia) Содержание Содержание Происхождение названия Географические характеристики Крайние точки Евразии Крупнейшие полуострова Евразии Общий обзор природы Границы География История Страны Европы Западная Европа Восточная Европа Северная Европа …   Энциклопедия инвестора

• ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ — (ПЗС) интегральная схема, представляющая собой совокупность МДП структур, сформированных на общей полупроводниковой подложке т. о., что полоски электродов образуют линейную или матричную регулярную структуру. Расстояния между соседними… …   Физическая энциклопедия

• ЭКСКЛЮЗИЯ — (от лат. exclusio исключение) обеднение объёма полупроводника (или его части) свободными носителями заряда под влиянием их дрейфа во внеш. электрич. поле. Э. происходит в области, прилегающей к потенц. барьеру (напр., контакт металл полупроводник …   Физическая энциклопедия

• ЖЕЛТУХА — ЖЕЛТУХА, Содержание: Этиология и патогенез............. 13 Клинические формы .............. 20 Профилактика и лечение Я!........... 26 Желтуха в хирургии.............. 28 Желтуха новорожденных . . . . ........ 31 Желтуха беременных..............… …   Большая медицинская энциклопедия